LG-100 系列

激光氣體分析儀

通過(guò) HORIBA 獨特的內置 IRLAM 紅外氣體分析技術(shù)支持半導體的先進(jìn)制造工藝
 

激光氣體分析儀 LG-100 系列可以實(shí)時(shí)測量分壓*1四氟化硅 （SiF4） 在半導體制造中使用的蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生。這些更改使制造商能夠確定蝕刻是否已達到允許的深度（端點(diǎn)*2).LG-100 降低了蝕刻不足和過(guò)度蝕刻的風(fēng)險，并有助于在制造半導體時(shí)提高生產(chǎn)力和良率。

先進(jìn)的邏輯半導體需要更復雜的傳感技術(shù)。HORIBA STEC 繼續拓寬多組分氣體分析，提高響應速度，并以其他方式擴展 LG-100 功能，從而在不斷發(fā)展的半導體制造過(guò)程中提高生產(chǎn)力，以生產(chǎn)這些最先進(jìn)的半導體。展望未來(lái)，我們將繼續通過(guò)擴展內置 IRLAM 技術(shù)的產(chǎn)品來(lái)響應不同的客戶(hù)需求。

• 高靈敏度/高速測量蝕刻工藝產(chǎn)生的廢氣成分
• 通過(guò)氣體成分的變化檢測過(guò)程終點(diǎn)
• 適用于非等離子體應用
   
• IRLAM?（紅外激光吸收調制）是 HORIBA 最初于 2021 年開(kāi)發(fā)的下一代紅外氣體分析技術(shù)。LG-100 配備了 IRLAM，?可實(shí)現 ppb 級痕量氣體的高靈敏度和快速（0.1 秒）測量。

使用各種氣體在電路板上雕刻電路的蝕刻工藝需要對這些氣體進(jìn)行精確控制和測量，并演變?yōu)槿S結構并改進(jìn)現代半導體器件。這就是為什么在最佳終點(diǎn)停止蝕刻過(guò)程以提高產(chǎn)量變得更加重要的原因。為了滿(mǎn)足這些類(lèi)型的蝕刻需求，HORIBA STEC 開(kāi)發(fā)了 LG-100 作為一種可以在蝕刻過(guò)程中實(shí)時(shí)測量氣體分壓的設備。